时间：2025/6/11 20:13:38
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SI2302DS是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型DFN2020-8封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、电池供电系统、负载开关以及DC-DC转换器等应用。其高效率和小尺寸使其成为需要高性能和紧凑设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：11nC
总电容：190pF
工作结温范围：-55°C至+150°C
SI2302DS具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动下仅为15mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 快速开关性能，栅极电荷低至11nC，适用于高频应用。
3. 小型DFN2020-8封装，节省PCB空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
4. 高电流处理能力，支持高达4.1A的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
SI2302DS适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 电池管理系统的保护电路。
3. DC-DC转换器和降压电路中的功率开关。
4. 各类消费类电子产品中的电源管理。
5. 工业控制和汽车电子中的低侧开关。
SI2306DS, SI2307DS, SI2308DS
