时间：2025/6/19 14:39:51
阅读：2
IPD80R600P7 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET，采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 P 沟道 MOSFET 类型，适用于中高压应用场合。其优化的芯片设计提供了低导通电阻和出色的开关性能，从而提升了系统的整体效率。
IPD80R600P7 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等电力电子系统中。
型号：IPD80R600P7
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：600V
最大连续漏极电流 Id：8A
导通电阻 Rds(on)：250mΩ（典型值，Vgs=-10V）
栅极电荷 Qg：43nC（典型值）
输入电容 Ciss：325pF（典型值）
总功耗 Ptot：29W
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
IPD80R600P7 提供了以下关键特性：
1. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其能够胜任高压应用环境。
2. 低导通电阻：在 Vgs=-10V 下具有 250mΩ 的典型导通电阻，从而减少了导通损耗。
3. 出色的开关性能：较低的栅极电荷和输入电容提高了开关速度，降低了开关损耗。
4. 热稳定性强：该器件能够在高达 150°C 的结温下稳定运行。
5. 小型化封装：采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，具备更优的散热特性和更高的功率密度。
6. 高可靠性：通过了严格的测试标准，确保在各种恶劣条件下的长期稳定性。
IPD80R600P7 主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
2. 电源管理系统，例如负载开关和电池保护电路。
3. 电机驱动器，用于控制中小功率直流电机。
4. UPS 不间断电源和逆变器。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关应用。
6. 家用电器和消费类电子产品中的电源管理模块。
IPD90R600P7
IPP80R600P7
IPP90R600P7
