类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1500V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：31A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω
　　栅极电荷(Qg)：约140nC
　　漏极-源极击穿电压：1500V

IXTH31N15MA 具有出色的电气性能和高可靠性。其沟槽式结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。该器件支持高达 1500V 的漏源电压，适用于高电压开关应用，同时具备良好的热稳定性和耐久性，能够在极端温度条件下工作。其 TO-247AC 封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以增强热管理。此外，该 MOSFET的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
　　这款MOSFET的高耐压特性使其非常适合用于功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器、电机驱动器以及高电压电源模块中。其优异的抗雪崩能力确保在高能脉冲条件下仍能保持稳定运行，提高了系统的整体可靠性和寿命。同时，该器件具备低门极电荷和低反向恢复电荷，使得在高频开关应用中表现优异，降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　在制造工艺上，IXTH31N15MA采用了先进的硅片技术和高纯度材料，以确保在高电压和高电流条件下的长期稳定性。其封装材料符合 RoHS 标准，具备良好的环保性能。此外，该器件还具有较强的抗湿热能力，适用于各种严苛的工作环境。

IXTH31N15MA 主要用于高电压、高功率的开关电源系统，包括工业电源、UPS不间断电源、逆变器、电机控制模块、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器以及新能源系统（如光伏逆变器和储能系统）。此外，该器件也可用于高电压直流-直流转换器、电焊机、医疗设备电源以及电动汽车充电模块等应用领域。

IXTP32N150A, IXTH30N150A, IXFH31N150P