IPD80R1K4CE 时间：2025/5/19 14:22:56 阅读：3

IPD80R1K4CE是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等。其封装形式为TO-247，适合表面贴装和通孔安装。

参数

最大漏源电压：1500V
　　最大连续漏电流：80A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：130nC
　　输入电容：3500pF
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-247

特性

IPD80R1K4CE具备非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，其高开关速度减少了开关损耗，使得在高频应用中表现优异。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
　　该器件的漏源电压高达1500V，使其非常适合高压应用环境。而80A的额定电流则保证了其在大电流场景下的稳定性能。另外，较低的栅极电荷使得驱动功耗得以降低，进一步提升了整体效率。
　　IPD80R1K4CE还具有快速体二极管，可以支持续流功能，在电机驱动等应用中表现出色。

应用

IPD80R1K4CE广泛应用于工业和消费电子领域，典型的应用包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动中的逆变桥臂开关。
　　4. 光伏逆变器中的功率转换元件。
　　5. 电动汽车充电设备中的功率管理组件。
　　6. 高压大电流负载开关。