时间：2025/8/24 19:34:04
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HUF75321P3（75321P）是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能N沟道功率MOSFET，适用于高电流、高效率的电源管理应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。HUF75321P3封装为DPAK（TO-252）形式，适用于表面贴装技术，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25°C时）
漏源导通电阻（Rds(on)）：最大3.2mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
HUF75321P3具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保在高电流条件下仍能保持良好的热稳定性。此外，其高雪崩能量耐受能力使其在高应力环境中具有更高的可靠性。
HUF75321P3的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅极驱动，适用于多种控制器和驱动电路。该器件还具备良好的热阻性能，封装热阻（RθJC）低至1.2°C/W，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。
该MOSFET的封装设计支持表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了装配效率。同时，其优异的抗静电能力（ESD）和高可靠性使其适用于汽车电子、工业控制和电源管理等多种高要求应用场景。
HUF75321P3广泛应用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动汽车的电力控制系统。由于其优异的热性能和高电流处理能力，HUF75321P3特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的设计。
SiHHU34410SY-T1-GE3, FDD8882, SQJQ160EL, IPP061N04NG
