IPD60R400CE 时间：2025/5/12 15:23:16 阅读：7

IPD60R400CE 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型技术。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换应用。其优化的芯片设计使其能够满足工业级和消费级电子设备的需求。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，便于在高功率场景下使用。此外，IPD60R400CE 具有出色的耐热性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。

参数

最大漏源电压：400V
　　连续漏极电流：6A
　　导通电阻（典型值）：400mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

IPD60R400CE 的主要特点是其高电压承受能力和较低的导通电阻，这使得它非常适合用于需要高效功率传输的场合。
　　1. 高额定电压（400V）确保了其在高压环境下的稳定运行。
　　2. 导通电阻仅为 400mΩ，从而减少了功率损耗并提高了效率。
　　3. 快速开关能力使器件能够适应高频开关应用。
　　4. 采用 TO-220 封装，提供良好的散热性能，适合长时间高负载工作。
　　5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃）保证了其在极端环境中的可靠性。

应用

IPD60R400CE 可广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其高电压和低导通电阻，非常适合用于各类 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
　　2. 电机驱动：可用于控制小型直流电机或步进电机的运行状态。
　　3. 工业逆变器：适用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高功率应用场景。
　　4. 电池保护电路：可作为开关元件用于锂电池或其他类型电池组的过流保护。
　　5. 固态继电器：利用其快速开关特性和低功耗优势替代传统电磁继电器。