时间：2025/4/29 19:29:46
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IPD60N10S4L-12是一款基于硅技术的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其设计目标是提高效率并降低能耗，非常适合于需要高性能和高可靠性的场合。
该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了其在高电流和高频条件下依然保持优异性能。其封装形式为TO-220AB，这种封装形式有助于散热并提供良好的电气连接。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻：3.8mΩ（典型值）
栅极电荷：55nC（典型值）
输入电容：1500pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
总功耗：175W
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频应用需求。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的耐用性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 良好的热性能和电气性能，适合苛刻的工作环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
3. 逆变器和太阳能逆变系统的功率模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IPD60N10S3G-12, IRF640N
