BD949是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点,使其成为许多电子设备中不可或缺的组件。
类型:N沟道
最大漏极电流:30A
最大漏极电压:60V
导通电阻(Rds(on)):22mΩ
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
BD949具有低导通电阻,可以减少导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其高电流承载能力和高耐压特性使其适用于高功率应用。此外,BD949的热稳定性良好,能够在高温环境下稳定工作,提高了器件的可靠性和寿命。该MOSFET的TO-220封装形式便于安装和散热,适用于多种电源管理和开关电路设计。
BD949的栅极驱动电压范围较宽,能够在不同的驱动条件下保持稳定的性能。此外,该器件具有快速开关特性,减少了开关损耗,提高了系统的响应速度和效率。其优异的短路耐受能力也使其在高可靠性要求的应用中表现出色。
BD949常用于电源转换器、电机驱动器、电池管理系统、DC-DC转换器和开关电源等应用中。其高效率和良好的热稳定性使其成为工业控制、汽车电子和消费电子等领域的重要组件。
IRFZ44N, FDP6030L, STP30NF10