时间：2025/5/8 19:30:05
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IPD50N04S4L-08是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其额定电压为40V，最大持续漏极电流可达50A，非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高性能开关的场合。
该型号中的‘IPD’代表英飞凌（Infineon）的功率分立产品系列，而具体编号则标识了产品的技术规格与封装形式。这款MOSFET采用TO-247-3封装，具备良好的散热性能。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ (典型值，Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：4360pF
输出电容(Coss)：200pF
反向传输电容(Crss)：85pF
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能力，确保在异常条件下也能安全运行。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
5. 提供可靠的电气隔离，防止干扰信号影响整体电路稳定性。
6. 广泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定工作。
7. 通过优化设计以满足高频开关应用的需求。
IPD50N04S4L-08广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化控制系统的负载开关。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电装置。
5. 电池保护和管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 各种高效能要求的电源管理模块。
IPP50N04S4L-08, IRF540N, FDP5020N
