时间：2025/7/8 10:17:56
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RF15N5R6B101CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET)，专为高频放大器、低噪声应用和无线通信系统设计。该器件采用先进的氮化镓 (GaN) 技术，提供卓越的功率输出和效率，同时支持高频率操作。
其主要特点是能够在高频条件下维持稳定的性能，并具有较低的噪声系数和较高的增益。适用于基站、雷达系统和其他需要高性能射频信号处理的应用场景。
型号：RF15N5R6B101CT
类型：射频场效应晶体管 (RF FET)
技术：氮化镓 (GaN)
最大漏极电流 (Id)：5 A
击穿电压 (Vds)：100 V
栅极电荷 (Qg)：25 nC
工作频率范围：DC 至 6 GHz
增益：15 dB
输出功率 (Pout)：43 dBm
效率：70 %
封装类型：表面贴装 (SMD)
RF15N5R6B101CT 使用了氮化镓 (GaN) 技术，相比传统的硅基晶体管，提供了更高的功率密度和更好的热性能。
它具备出色的线性度和增益稳定性，在高频段表现出色，适合于高要求的无线通信系统。
此外，该器件在低噪声方面也有优异表现，能够有效减少信号失真，从而提高系统的整体性能。
RF15N5R6B101CT 的表面贴装封装设计使其易于集成到现代电路板中，减少了体积和重量，同时提高了可靠性。
RF15N5R6B101CT 广泛应用于各种射频和微波领域，包括但不限于：
1. 基站放大器：用于蜂窝网络基础设施中的功率放大器模块。
2. 雷达系统：由于其高频和高功率能力，适用于军事或民用雷达设备。
3. 卫星通信：可用于卫星地面站和空间设备中的射频链路。
4. 点对点无线电：为长距离无线连接提供高增益和低噪声性能。
5. 医疗成像：如超声波设备中的射频前端组件。
RF15N5R6B102CT, RF15N5R6B103CT
