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IPD30N06S3L-20 发布时间 时间:2025/6/4 18:03:14 查看 阅读:6

IPD30N06S3L-20是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,由Infineon Technologies生产。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关应用场合。其额定电压为60V,连续漏极电流可达30A,封装形式为TO-220FP。
  该型号中的IPD代表Infineon Power Device系列,而30N06表示30A、60V的N沟道MOSFET。后缀S3L-20则指代特定的产品改进版本和封装形式。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):71nC
  总电容(输入电容):1250pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

这款MOSFET采用了先进的Trench技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性和耐用性,可在极端温度条件下运行。
  4. 内置反向二极管设计,提供额外的保护功能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  这些特性使得IPD30N06S3L-20成为许多工业和汽车领域中高效能功率转换电路的理想选择。

应用

IPD30N06S3L-20广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统,例如启动马达、燃油泵控制等。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节单元。
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET非常适合需要高效、紧凑和稳定的功率处理解决方案的应用场景。

替代型号

IPD30N06S3L, IRF3205, FDP30N06L

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IPD30N06S3L-20参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流30 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)20 m Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间74 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散45 W
  • 上升时间34 ns
  • 典型关闭延迟时间43 ns
  • 零件号别名IPD30N06S3L20XT