FMB16N50E 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等高功率场合。该器件采用了先进的平面条形 MOSFET 技术,具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。FMB16N50E 的最大漏源电压(VDS)为 500V,连续漏极电流(ID)可达 16A,适用于中高功率电源设计。
最大漏源电压(VDS):500V
最大栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):16A
最大功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
导通电阻(RDS(on)):0.27Ω(典型值)
输入电容(Ciss):1300pF(典型值)
开启阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
FMB16N50E 具备多项优良的电气特性和物理性能,适用于各种中高功率应用。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:FMB16N50E 的漏源击穿电压高达 500V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于开关电源、逆变器等高电压应用。
2. 低导通电阻:典型 RDS(on) 仅为 0.27Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率,减少发热。
3. 高电流承载能力:连续漏极电流可达 16A,适合用于需要较高功率输出的电路设计。
4. 快速开关特性:输入电容较小(1300pF),有助于实现快速开关动作,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
5. 热稳定性好:封装设计优化,具备良好的散热性能,能够在高功率工作条件下保持稳定。
6. 栅极保护:内置栅极保护二极管,可防止栅极电压过高导致的损坏,提高可靠性。
7. 广泛的工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用。
FMB16N50E 主要用于以下几类应用:
1. 开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 转换器、电源适配器、服务器电源等,作为主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器:在升压、降压或反激式转换器中作为功率开关,提供高效能的电压转换。
3. 电机控制:用于电机驱动电路中,作为 H 桥或单向控制开关,实现电机的高效控制。
4. 负载开关:在电源管理系统中用于控制负载的开启与关闭,具有较低的导通损耗。
5. 逆变器与 UPS:适用于不间断电源(UPS)和光伏逆变器等高压直流到交流的转换系统。
6. 工业自动化:在工业控制设备中用于高电压、高电流的开关控制。
7. 家用电器:如电磁炉、变频空调等高功率家电产品中用于功率调节。
FQA16N50C, FDP16N50, IRFBC40, FMB18N50E