时间：2025/5/29 3:45:50
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FDC6420C 是一款高性能的 N 没道功率场效应晶体管（NMOS），专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有出色的开关特性和低损耗，非常适合用于电源管理、电机驱动以及各种工业应用中。
其封装形式通常为 SO-8 或 DPAK，能够提供优异的散热性能，并且支持较高的连续电流输出。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：29nC
开关时间：ton=8ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
FDC6420C 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 1.5mΩ（典型值），这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗并提高整体效率。
此外，该器件具备快速的开关速度，栅极电荷较小，有助于减少开关损耗，非常适合高频开关应用。
它的高雪崩能力和鲁棒性确保了在严苛环境下的可靠运行。同时，宽广的工作温度范围使其适用于各种极端条件下的应用场景。
FDC6420C 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电机控制和驱动
5. 工业自动化设备
6. 通信基础设施中的电源模块
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 NMOS 器件成为许多高要求应用的理想选择。
FDS6420C, IRF640N, AO3400A
