时间：2025/12/27 8:35:14
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7N60G-TN3-R是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术设计，专为高效率开关电源应用而优化。该器件封装在TO-252（DPAK）表面贴装封装中，具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和优异的热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备中的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动以及负载开关等场景。7N60G-TN3-R的额定电压为600V，能够承受较高的电压瞬变，在反向恢复性能方面表现出色，有助于减少开关损耗并提升系统整体效率。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造需求。其“-TN3-R”后缀表明该产品为卷带包装，适用于自动化贴片生产线，便于大规模生产使用。由于其良好的参数匹配性和可靠性，7N60G-TN3-R广泛应用于LED照明电源、光伏逆变器、充电器模块及其他需要高压功率开关的场合。
型号：7N60G-TN3-R
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：7A @ 25°C
脉冲漏极电流(Id,脉冲)：28A
导通电阻(Rds(on))：1.05Ω @ Vgs=10V
阈值电压(Vgs(th))：3~5V
输入电容(Ciss)：1000pF @ Vds=25V
输出电容(Coss)：280pF @ Vds=25V
反向恢复时间(trr)：45ns
最大功耗(Pd)：50W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装(SMD)
通道数：单通道
7N60G-TN3-R具备多项关键电气与结构特性，使其成为中高功率开关电源设计中的理想选择。
首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在面对电网波动或瞬态过压时仍能保持稳定运行，特别适用于离线式反激变换器和PFC电路中，有效防止因电压应力过高导致的器件失效。
其次，该MOSFET具有较低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为1.05Ω（在Vgs=10V条件下），这意味着在导通状态下功率损耗显著降低，从而提升了系统的能效表现，并减少了散热设计的复杂度。结合其50W的最大功耗能力，能够在有限空间内实现高效的热管理。
再者，7N60G-TN3-R采用了先进的平面栅极技术和场板结构设计，优化了电场分布，增强了器件的抗雪崩能力和长期可靠性。这种设计不仅提高了器件在硬开关条件下的耐用性，还改善了动态开关特性，例如输入电容Ciss仅为1000pF，输出电容Coss为280pF，使得驱动电路所需提供的驱动电流较小，降低了驱动损耗。
此外，该器件拥有较快的反向恢复时间trr（典型值45ns），配合快速体二极管，可在连续导通模式下有效抑制寄生振荡和电压尖峰，进一步提升EMI性能和系统稳定性。
从封装角度看，TO-252（DPAK）是一种成熟且广泛应用的表面贴装封装，具备良好的热传导路径，可通过PCB铜箔进行有效散热，同时支持回流焊工艺，满足现代自动化生产流程的需求。综合来看，7N60G-TN3-R在电气性能、热性能和制造兼容性之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中值得信赖的核心功率开关元件。
7N60G-TN3-R主要应用于各类需要高效、可靠高压开关功能的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它被广泛用于AC-DC适配器、充电器（如手机、笔记本电脑电源）、机顶盒和路由器电源模块中，作为主开关管执行能量转换任务，凭借其600V耐压和低Rds(on)特性，可实现高效率与小体积设计。在LED驱动电源中，该器件常用于隔离式反激拓扑结构中，承担高频开关作用，确保恒流输出的同时具备良好的调光响应能力。此外，在光伏微型逆变器和太阳能充电控制器中，7N60G-TN3-R可用于DC-DC升压或MPPT电路，利用其高耐压和强抗浪涌能力应对多变的光照和负载条件。工业控制方面，该MOSFET可用于电机驱动中的低端开关或继电器替代方案，实现无触点控制，提高系统寿命与安全性。在家用电器如空调、洗衣机、电磁炉的辅助电源（待机电源）中，也常见其身影，用于构建低待机功耗的待机电源电路。另外，由于其具备一定的雪崩耐量和稳健的开关行为，也被用于UPS不间断电源、医疗设备电源模块以及通信基站电源等对可靠性要求较高的场合。总体而言，7N60G-TN3-R凭借其出色的综合性能，已成为众多中等功率等级电源拓扑结构中的主流选择之一。
FQP7N60C / STP7NK60ZFP / IRF7N60H / KSE7N60 / CS7N60
