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IPD30N03S2L-10 发布时间 时间:2025/7/4 4:20:09 查看 阅读:14

IPD30N03S2L-10 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET,主要应用于需要高效能开关的电路中。该器件采用 TOLL 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于工业、汽车及消费类电子领域中的电源管理应用。
  该型号属于 OptiMOS 系列,旨在通过优化的硅技术提供卓越的性能表现,同时支持高频率开关操作。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:98A
  导通电阻:0.67mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TOLL

特性

IPD30N03S2L-10 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg),这使得其在高频开关应用中能够有效降低功耗。
  此外,该器件还具备出色的热性能和耐用性,使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。它采用了先进的制造工艺,确保了更高的可靠性和一致性。此器件特别适合要求高效率和高功率密度的应用场景。
  其特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了系统的鲁棒性。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,可用于汽车级应用。
  5. 支持表面贴装工艺,简化生产流程。

应用

这款 MOSFET 广泛用于各种电力电子设备中,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电动车充电系统等。其高性能和可靠性使它成为许多高要求应用场景的理想选择。
  典型应用包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS)。
  2. 电池管理系统 (BMS)。
  3. 工业自动化设备中的电源控制。
  4. 汽车电子中的负载切换和电机控制。
  5. 通信电源和其他需要高效功率转换的地方。

替代型号

IPB30N03S2L-10, IRF3205, SI4472DY

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IPD30N03S2L-10参数

  • 数据列表IPD30N03S2L-10
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000254465