时间：2025/6/21 0:58:01
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HHV1206G0100J102NSJJ 是一款高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压环境下的开关和功率转换应用。该器件采用 TO-252 封装，具有出色的开关性能和低导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.3A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：25nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252
HHV1206G0100J102NSJJ 具有高耐压能力，可承受高达 600V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。其低导通电阻设计有助于降低功耗，从而提升整体系统的效率。
该器件的栅极电荷较低，能够实现快速开关操作，并减少开关损耗。
此外，其紧凑的 TO-252 封装使其非常适合空间受限的应用环境，同时具备良好的散热性能。
HH00J102NSJJ 广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、LED 驱动器以及其他需要高压开关控制的电子设备中。它特别适合在高效率、高可靠性要求的场合下使用。
HHV1206G0100J102NSJH, HHV1206G0100J102NSJK
