时间：2025/9/6 18:27:11
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2SK217ZE-TL 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号广泛用于电源管理、开关电路和DC-DC转换器等应用中，具有较高的开关速度和较低的导通电阻。该MOSFET采用小信号SOT-23（SC-59）封装形式，适用于需要紧凑设计和高效能的便携式电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：约3Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
2SK217ZE-TL MOSFET具备多项优异的电气特性。其低导通电阻使得在导通状态下功率损耗较低，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具有较高的栅极绝缘性能，确保了在高频开关应用中的稳定性与可靠性。由于采用了先进的硅技术，2SK217ZE-TL在高频下具有良好的响应特性，适合用于高速开关电路。同时，其SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化装配，适合用于高密度PCB设计。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在多种工作环境下保持稳定运行。
2SK217ZE-TL适用于多种低功率电子设备，如便携式电池供电设备、LED驱动电路、DC-DC转换器、逻辑电路接口以及信号开关应用。它也常用于通信设备、消费类电子产品和工业控制系统中的电源管理部分。
2SK170BLT1、2SK30AT、2SK117Y、2SK241YE
