时间：2025/4/1 9:57:23
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BSS123Q-13 是一种 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于低功率开关应用中，能够提供高开关速度和低导通电阻的特性。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，非常适合在空间受限的设计中使用。
BSS123Q-13 在多种电子设备中有广泛应用，例如电源管理、信号切换以及音频设备等。由于其出色的电气特性和小型化设计，使其成为众多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.4A
导通电阻：6.5Ω
栅极电荷：2nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
1. 高开关速度，适合高频应用环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少了功率损耗并提高了效率。
3. 良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 小型化的 SOT-23 封装，适合紧凑型电路设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
6. 可靠性高，能够在严苛环境下长期运行。
1. 开关电源及 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
2. 各种电池供电设备中的负载开关控制。
3. 数字电路中的信号切换。
4. 音频设备中的静音开关或电平控制。
5. 工业自动化系统中的传感器接口驱动。
6. 便携式消费类电子产品，如智能手机和平板电脑中的保护电路。
7. 数据通信设备中的信号隔离与切换。
BSS123, BSS84, BS170
