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IPB77N06S2-12 发布时间 时间:2025/6/4 17:59:53 查看 阅读:8

IPB77N06S2-12是一款由Infineon(英飞凌)推出的MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装形式。该器件专为高效率和高可靠性应用设计,适用于多种工业和消费电子领域。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用场景。

参数

型号:IPB77N06S2-12
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):77A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):380W
  结温范围(Tj):-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

IPB77N06S2-12具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达77A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 卓越的热性能,得益于TOLL封装形式,能够有效降低热阻,提升散热效果。
  4. 高速开关能力,减少了开关损耗,特别适合高频工作环境。
  5. 强大的短路耐受能力,提高了系统的稳定性和可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具、家用电器和其他消费类产品的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的电源管理和控制模块。
  4. 各种DC-DC转换器和逆变器的设计。
  5. 大功率LED驱动电路中的关键开关组件。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能实现。

替代型号

IPW79N06S2_L044,
  BSC015N06NS5,
  IPA60R120PFA_Single,
  IPP077N06S5,
  IPD70R190PFDG

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IPB77N06S2-12参数

  • 数据列表IPB,IPP77N06S2-12
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C77A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.7 毫欧 @ 38A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 93µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
  • 功率 - 最大158W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000218173