时间：2025/6/20 9:28:54
阅读：26
IPD180N10N3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效率和低导通电阻的场合。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性。其封装形式为 TO-220，能够承受较高的电流和电压，非常适合开关电源、电机驱动器和负载开关等应用领域。
该功率 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，连续漏极电流高达 18A（在特定条件下），并具备快速开关能力和较低的导通电阻，有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：9.5mΩ
栅极电荷（典型值）：40nC
输入电容（典型值）：1680pF
总功耗：117W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，降低开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在过载条件下的耐用性。
4. 较小的栅极电荷和输出电荷，便于高效驱动。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 可靠性高，适合长时间运行的应用场景。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 工业自动化设备
7. 照明驱动（如 LED 驱动）
IRFZ44N
STP18NF06L
IXYS IXTH18N10L2
