时间：2025/7/1 3:44:13
阅读：11
IPD135N03LG-UDU 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟能耗尽型 MOSFET 芯片。该器件采用 Trench 技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于高效率功率转换电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理系统。
这款芯片设计用于满足工业和汽车领域对高效能和高可靠性的要求，其封装形式为 U-DSON8 封装，有助于降低热阻并提高散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：128A
导通电阻：1.35mΩ
栅极电荷：76nC
输入电容：4490pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IPD135N03LG-UDU 的主要特点是其超低的导通电阻和高电流承载能力，这使其在大功率应用中表现出色。此外，它具备以下优势：
- 极低的 RDS(on) 值 (典型值为 1.35mΩ)，可以显著减少传导损耗。
- 高效的 Trench MOSFET 结构优化了开关性能备强大的雪崩能力和 ESD 保护功能，提高了器件的耐用性和可靠性。
- U-DSON8 封装设计不仅节省空间，还增强了散热性能，非常适合紧凑型设计。
- 符合 AEC-Q101 标准，适用于严苛环境下的汽车级应用。
IPD135N03LG-UDU 通常被用作高性能功率开关元件，适合以下应用场景：
- 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的牵引逆变器。
- 工业设备中的电机驱动控制。
- 开关模式电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
- 高电流负载切换和电池管理系统（BMS）。
- 太阳能微型逆变器和储能系统。
- 各类高效率功率模块设计。
IPD110N03L-02, IPP150N03LS-02
