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A2001WV-S-7P 发布时间 时间:2025/8/16 18:13:40 查看 阅读:20

A2001WV-S-7P是一款由Toshiba(东芝)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高效率、高频率开关应用而设计。该型号属于功率MOSFET类别,适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等场景。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-23或类似),适合高密度PCB布局。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):100mA
  漏-源极击穿电压(Vds):20V
  栅极-源极电压(Vgs):±12V
  导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(典型值)
  功耗(Pd):100mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(7引脚)

特性

A2001WV-S-7P具有低导通电阻和快速开关特性,使其适用于低功率高频开关应用。其小型封装设计有助于节省PCB空间,适用于便携式电子设备和紧凑型电源系统。
  该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在严苛环境中使用。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,兼容多种控制电路设计。
  在封装方面,该器件采用符合RoHS标准的环保材料制造,适用于自动化贴片生产线,提高了制造效率和成品率。

应用

A2001WV-S-7P广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、小型DC-DC转换器、LED驱动电路以及各类低功耗电源管理模块。此外,它也可用于信号切换、逻辑电路控制以及微功率放大电路等场合。

替代型号

2N7002, BSS138, FDV301N, 2N3904

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