CSD85302L 是一款来自德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET,采用 8 引脚 DSON 封装。该器件主要用于提高效率和功率密度的开关应用中,例如 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器和电机驱动等。其低导通电阻和优化的开关特性使其非常适合高频开关应用。
CSD85302L 集成了高端和低端开关 MOSFET 的功能,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,从而显著降低开关损耗并提升整体效率。
类型:N沟道 MOSFET
封装:DSON-8
Vds(最大漏源电压):20V
Rds(on)(最大导通电阻):3.6mΩ @ Vgs=10V
Qg(总栅极电荷):9nC
Ciss(输入电容):1380pF
fMAX(最高工作频率):4MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CSD85302L 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可减少传导损耗,适合高效率应用。
2. 总栅极电荷 Qg 较低,有助于降低开关损耗。
3. 最高支持 4MHz 工作频率,非常适合高频开关电源设计。
4. 提供紧凑型 DSON-8 封装,节省 PCB 空间。
5. 支持较宽的工作温度范围,适应各种环境条件。
6. 优异的热性能表现,能够可靠地运行在高功率密度场景下。
CSD85302L 广泛应用于以下领域:
1. 同步降压转换器。
2. 负载点 (POL) 转换器。
3. 分离式同步整流电路。
4. 高效 DC-DC 转换模块。
5. 电机驱动控制电路。
6. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理部分。
7. 通信基础设施中的高效电源解决方案。
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