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CSD85302L 发布时间 时间:2025/5/6 20:48:44 查看 阅读:11

CSD85302L 是一款来自德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET,采用 8 引脚 DSON 封装。该器件主要用于提高效率和功率密度的开关应用中,例如 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器和电机驱动等。其低导通电阻和优化的开关特性使其非常适合高频开关应用。
  CSD85302L 集成了高端和低端开关 MOSFET 的功能,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,从而显著降低开关损耗并提升整体效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:DSON-8
  Vds(最大漏源电压):20V
  Rds(on)(最大导通电阻):3.6mΩ @ Vgs=10V
  Qg(总栅极电荷):9nC
  Ciss(输入电容):1380pF
  fMAX(最高工作频率):4MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

CSD85302L 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可减少传导损耗,适合高效率应用。
  2. 总栅极电荷 Qg 较低,有助于降低开关损耗。
  3. 最高支持 4MHz 工作频率,非常适合高频开关电源设计。
  4. 提供紧凑型 DSON-8 封装,节省 PCB 空间。
  5. 支持较宽的工作温度范围,适应各种环境条件。
  6. 优异的热性能表现,能够可靠地运行在高功率密度场景下。

应用

CSD85302L 广泛应用于以下领域:
  1. 同步降压转换器。
  2. 负载点 (POL) 转换器。
  3. 分离式同步整流电路。
  4. 高效 DC-DC 转换模块。
  5. 电机驱动控制电路。
  6. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理部分。
  7. 通信基础设施中的高效电源解决方案。

替代型号

CSD85301L
  CSD85303L
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CSD85302L参数

  • 现有数量8,227现货9,000Factory
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)3,000 : ¥1.68816卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大值1.7W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳4-XFLGA
  • 供应商器件封装4-Picostar(1.31x1.31)