APT20GT60BRG 时间：2025/12/24 18:23:44 阅读：11

APT20GT60BRG 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率模块，适用于高功率应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。APT20GT60BRG 是专为高可靠性、高效率和高热稳定性设计的工业级功率电子元件，广泛应用于电机控制、电源转换、逆变器和工业自动化设备等领域。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　最大集电极电流（IC）：20A
　　导通压降（VCE_sat @ 25°C）：约2.0V
　　栅极阈值电压（VGE(th)）：约6.0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　热阻（RthJC）：约1.5°C/W
　　短路耐受能力：典型值 10μs @ 600V, 25A

特性

APT20GT60BRG 具备多项先进特性，确保其在高功率和高可靠性应用中的稳定运行。首先，该 IGBT 模块具备较高的击穿电压（600V），使其适用于中高压电力电子系统。其最大集电极电流为 20A，适用于多种中等功率的电源变换应用。此外，该器件的导通压降较低，典型值为 2.0V，从而降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　在热性能方面，APT20GT60BRG 具有良好的散热能力，其结-壳热阻（RthJC）约为 1.5°C/W，使得器件在高功率密度环境下仍能保持较低的工作温度，提升长期运行的可靠性。该器件还具有一定的短路耐受能力，在特定条件下可承受高达 10μs 的短路电流，增强了系统的抗故障能力。
　　APT20GT60BRG 采用 TO-247 封装，具备优良的机械稳定性和热循环耐久性，适用于工业环境中频繁开关操作的应用场景。其栅极阈值电压约为 6.0V，确保了与标准驱动电路的良好兼容性。此外，该 IGBT 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣工作环境，满足工业和电力电子设备对高稳定性和高可靠性的要求。

应用

APT20GT60BRG 主要应用于中高压功率转换系统，包括但不限于电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、感应加热设备、电焊机、变频器及工业自动化控制系统。其高电压和中等电流能力使其成为多种中功率逆变和整流应用的理想选择。此外，该 IGBT 模块也适用于需要高频开关和高效率的电源转换设备，如电动车辆充电系统和储能逆变器。