FM25V20A-GTR 是一款基于 FRAM(铁电随机存取存储器)技术的非易失性存储器芯片。它具有高速读写、低功耗和高耐久性的特点,适用于需要频繁数据记录和实时数据保存的应用场景。
该芯片采用 SPI 接口进行通信,工作电压范围为 1.8V 至 3.6V,提供 2Mb(256K x 8)的存储容量。由于其独特的铁电特性,FM25V20A-GTR 在断电后仍能保持数据完整性,并支持高达 10^12 次的读写周期。
容量:2Mb
接口:SPI
工作电压:1.8V - 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:8-SOIC
读写速度:最高 20MHz
数据保留时间:超过 10年
擦写耐久性:10^12 次
FM25V20A-GTR 的主要特性包括:
1. 非易失性存储功能,无需备用电池即可保存数据。
2. 支持快速写入操作,无须等待擦除过程。
3. 极高的读写耐久性,适合频繁数据更新的应用环境。
4. 超低功耗设计,在待机模式下电流消耗极小。
5. 简单的 SPI 接口便于与微控制器或处理器连接。
6. 宽泛的工作电压范围提升了系统兼容性。
7. 工业级温度范围确保在恶劣环境下可靠运行。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业控制设备中的数据日志记录。
2. 医疗设备的数据存储,例如便携式健康监测仪器。
3. 消费类电子产品中的配置参数保存。
4. 计量仪表中的累积数据记录。
5. 汽车电子系统的事件记录。
6. 物联网设备中的状态信息保存。
FM25V20A-GTR 的高性能和可靠性使其成为众多关键应用场景的理想选择。
FM25L16B, MB85RC256V, CAT25256