时间：2025/8/12 17:15:34
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DBLS106G RD 是一款由东芝（Toshiba）制造的双路低侧MOSFET驱动器集成电路，主要设计用于驱动高功率的N沟道MOSFET器件。该芯片广泛应用于电机控制、电源管理和工业自动化系统中，具有高驱动能力和良好的抗干扰性能。
工作电压范围：4.5V - 20V
最大输出电流：±1.5A（典型值）
传播延迟时间：120ns（最大值）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：SOP8
DBLS106G RD具有双路独立驱动输出，能够同时驱动两个N沟道MOSFET器件，适用于H桥或半桥电路拓扑结构。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可以防止在电源电压不足时误操作，从而保护功率MOSFET不被损坏。
此外，该IC具有良好的抗噪性能，确保在高电磁干扰（EMI）环境下仍能稳定工作。其高输出驱动能力有助于快速开关MOSFET，减少开关损耗并提高系统效率。
该芯片采用SOP8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性。
DBLS106G RD常用于工业电机驱动器、无刷直流电机控制、电源转换器（如DC-DC转换器）、智能功率模块（IPM）驱动电路以及各种需要高可靠性和高效率的功率MOSFET驱动场合。
TC4420, IRS21844, LM5114
