时间：2025/7/8 15:29:45
阅读：12
IPD127N06LG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于各种高效能功率转换应用，例如开关电源、电机驱动和负载切换等。其电压等级为60V，能够满足中低压应用场景的需求。
该器件封装形式为LFPAK56D（也称为Power-SO8），这种封装方式有助于提高散热性能和简化PCB设计。IPD127N06LG还具备优异的雪崩耐量能力，从而增强了系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：43A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：典型开启时间23ns，典型关闭时间29ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用需求。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 采用紧凑型表面贴装封装，节省PCB空间。
5. 出色的热稳定性和可靠性，适应严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
7. 内部优化的寄生参数，提升动态性能。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的高端和低端开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池保护和充电管理系统。
7. 各类消费类电子产品中的功率调节单元。
IPB127N06LFG, IRF7833, FDP16N06L
