型号：MA0402CG1R6D500
　　类型：增强型 GaN HEMT
　　Vds（漏源电压）：650 V
　　Rds(on)（导通电阻）：1.6 mΩ
　　Id（连续漏电流）：90 A
　　Qg（总栅极电荷）：80 nC
　　Ciss（输入电容）：2030 pF
　　Coss（输出电容）：85 pF
　　Eoss（输出电荷能量）：450 nJ
　　Vgs（栅源电压范围）：-10 V ~ +6 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

MA0402CG1R6D500 的核心优势在于其出色的性能表现，主要包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.6 mΩ，可大幅降低导通损耗。
　　2. 高耐压能力（Vds = 650 V），适合高压应用场景。
　　3. 快速开关速度，支持 MHz 级别的开关频率，有效提升系统效率。
　　4. 栅极驱动兼容性好，与传统硅 MOSFET 驱动电路兼容，简化设计流程。
　　5. 耐热性能优异，最高结温可达 175°C，适用于严苛的工作环境。
　　6. 先进的封装设计，确保良好的散热性能及可靠性。
　　7. 非常低的栅极电荷（Qg = 80 nC），进一步降低了开关损耗。
　　这些特点使得 MA0402CG1R6D500 在需要高效率和高频工作的应用中表现出色。

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，如服务器电源、工业电源等。
　　2. DC-DC 转换器，特别是半桥和全桥拓扑结构。
　　3. 无线充电系统，提供更高的充电效率。
　　4. 电机驱动，用于高性能电机控制。
　　5. 太阳能逆变器，助力清洁能源转换。
　　6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器和牵引逆变器。
　　7. 通信基站电源，满足电信行业的高效率需求。

MA0402CG1R8D500
　　MA0402CG1R5D500
　　GAN042-650WSA