IXFN75N10 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于需要高电流和高电压能力的电源管理与功率控制应用。这款器件设计用于在高频率和高效率条件下运行,适用于工业电源、电动车辆、可再生能源系统以及其他高功率应用。IXFN75N10 采用 TO-247 封装形式,具有良好的热性能和机械稳定性,适合需要高可靠性的场合。
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):75A
导通电阻(RDS(on)):最大 13.5mΩ(典型值 11mΩ)
栅极电压(VGS):±20V
最大功耗(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IXFN75N10 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的设计优化了开关性能,使其能够在高频下工作,同时保持较低的开关损耗。这种特性对于需要高效率和小尺寸设计的电源应用非常重要。
此外,IXFN75N10 的 TO-247 封装提供了良好的散热性能,能够有效管理器件在高负载条件下的热量。这种封装形式也便于安装在散热器上,以进一步提高热管理能力。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,使其能够与多种驱动电路兼容,并且具备较高的抗干扰能力。IXFN75N10 还具有较高的雪崩击穿耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,防止器件损坏。
由于其高可靠性设计,IXFN75N10 在恶劣环境中也能稳定运行,例如在高温、高湿度或高振动的条件下。
IXFN75N10 广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等。在这些应用中,IXFN75N10 能够提供高效的功率转换,减少能量损耗,并提高系统的整体性能。
在电动车辆和充电系统中,IXFN75N10 可用于 DC-DC 转换器和车载充电器,以实现高效的能量管理。在可再生能源系统中,该器件可用于将太阳能电池板或风力发电机产生的直流电转换为交流电,并馈入电网。
此外,IXFN75N10 也可用于工业自动化和控制系统,如伺服电机驱动器和工业机器人,提供快速响应和稳定的功率输出。
IXFN75N10 可以用 IXFN78N10、IXFN80N10、IRFP4468、SiHF75N10 等型号作为替代,具体选择需根据应用需求和电路设计进行评估。