时间：2025/9/4 14:24:00
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GT17HN-4DP-2DS(B)(10) 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛用于高功率电子设备中，如工业变频器、电机驱动和电源系统。该模块采用高性能的硅芯片技术和先进的封装设计，确保了在高电压和高电流条件下的稳定运行。模块具有较低的导通压降和开关损耗，能够提高系统的整体效率并减少热量产生。此外，该模块的封装设计具备良好的绝缘性能和机械强度，适用于需要高可靠性的工业应用。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压：1700V
最大集电极电流：150A
导通压降：约2.1V（典型值）
最大工作温度：150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
输入信号类型：光耦隔离驱动
短路耐受能力：5μs @ 175°C
绝缘等级：增强型绝缘
安装方式：螺钉安装
GT17HN-4DP-2DS(B)(10) IGBT模块具有多项显著的性能优势。首先，其高电压和高电流承载能力（1700V和150A）使其适用于多种高功率应用。该模块采用了东芝先进的硅芯片技术，实现了较低的导通压降和开关损耗，有助于提升系统的整体效率，并减少散热需求，提高系统的可靠性。
其次，该模块集成了光耦隔离驱动电路，提供了良好的电气隔离性能，确保控制信号的稳定传输，同时保护主电路和控制电路之间的安全。这种设计特别适合于高电压和高噪声的工业环境。
GT17HN-4DP-2DS(B)(10) 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。最常见的用途包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及各种类型的电机控制系统。由于其具备高电压、高电流和良好的短路保护能力，该模块特别适用于需要频繁启停和高负载运行的工业设备。
Toshiba GT17HN-4DP-2DS(B)(10) 的替代型号包括：GT17HN-4DS-2DS(B)(10)、GT17HN-4DP-3DS(B)(10)、Infineon FS150R17KE3、STMicroelectronics STGW15V170K
