时间：2025/6/27 12:28:02
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IPD090N03L是一款来自Infineon（英飞凌）的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景中。其设计能够承受高电流负载，并具有出色的热性能和电气特性。通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各种工业应用中的功率管理电路。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：86nC（典型值）
输入电容：2540pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
IPD090N03L采用了先进的沟槽MOSFET技术，使其具备极低的导通电阻和栅极电荷，从而显著提高了效率并降低了功率损耗。
该器件还具有非常高的电流承载能力，适合在高功率密度的应用场合下使用。
此外，它具备快速开关速度和低开关损耗的特点，能够满足现代电力电子系统对高效能和紧凑设计的需求。
由于其出色的热稳定性和可靠性，这款MOSFET非常适合长时间运行的工业设备及汽车级应用。
IPD090N03L广泛应用于多种高功率密度的场景中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动控制
- 工业逆变器
- 汽车电子系统中的负载切换
- 太阳能微逆变器和其他可再生能源应用
它的高电流处理能力和低导通电阻特别适用于需要高效能量转换的环境。
IPW120N03L
IPP090N03L
IXFK90N3T
STP90NE03
FDMS8628
