晶体管类型：NPN
　　封装类型：TO-220
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：400V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：25W
　　增益（hFE）：在2mA时为8000至40000（具体取决于型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：8MHz
　　集电极-基极电压（VCBO）：700V
　　发射极-基极电压（VEBO）：9V

3DD13003H1D 是一款专为高电压和高电流应用设计的晶体管，具有优异的开关性能和放大能力。其TO-220封装提供了良好的散热效果，能够承受较高的功耗，适合在高压环境中稳定工作。该晶体管的高增益特性使其在低电流应用中也能表现出色，适用于各种开关电路和放大器设计。
　　此外，3DD13003H1D 还具备较高的频率响应能力，过渡频率（fT）可达8MHz，使其能够在中高频电路中使用。其较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为400V，能够承受较大的电压应力，适合在高压电源和逆变器等应用中使用。
　　该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于各种严苛的环境条件。同时，其较高的集电极电流能力（1.5A）和功耗（25W）使其能够承受较大的负载，适用于需要较高功率输出的电路设计。

3DD13003H1D 常用于开关电源、逆变器、电机驱动电路、LED驱动电路、音频放大器以及其他需要高电压和高电流处理能力的电子设备中。其高电压和高电流特性使其特别适合用于电源管理和功率控制应用。此外，该晶体管也可用于各种工业控制设备和消费类电子产品中的功率开关和放大电路。

3DD13003K，3DD13003H