时间：2025/5/8 0:38:03
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IPD082N10N3 G是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，由Infineon Technologies生产。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于各种高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。此型号为N通道增强型MOSFET，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.2A
导通电阻：5.7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：29nC
输入电容：1440pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IPD082N10N3 G的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中显著减少功率损耗。
2. 快速开关能力，可支持高频操作以优化电路设计。
3. 高雪崩击穿能量（EAS）确保了器件在异常情况下的稳健性。
4. 小型封装选项有助于节省PCB空间。
5. 宽泛的工作温度范围使其适应恶劣环境下的应用需求。
这款MOSFET适用于多种工业及消费类电子设备：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 各类电机驱动电路，包括步进电机、无刷直流电机等。
4. 负载开关和保护电路，用于便携式电子设备。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的信号传输与功率控制。
IPW100N10S3G, IRF840
