时间：2025/7/1 23:12:14
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IPD075N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能的电源管理、电机驱动以及各种工业应用。IPD075N03LG 的额定电压为 30V，能够处理高达 75A 的连续电流，同时具备优异的热性能和可靠性。
该器件采用了 TO-247 封装形式，便于散热并适用于需要大功率处理能力的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：38nC
总电容（输入电容）：2450pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IPD075N03LG 具有非常低的导通电阻，有助于降低传导损耗，并提升整体效率。此外，该器件还支持快速开关操作，可减少开关损耗。
由于其出色的热稳定性和坚固的设计，IPD075N03LG 能够在极端温度条件下可靠运行，适用于恶劣的工作环境。其高电流承载能力也使其成为大功率应用的理想选择。
该产品符合 RoHS 标准，确保环保要求得到满足。同时，其卓越的电气特性和耐用性使得 IPD075N03LG 成为市场上领先的功率 MOSFET 解决方案之一。
IPD075N03LG 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 大功率负载切换及保护。
4. 电信设备中的高效电源管理系统。
5. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车充电装置。
6. 各种需要高性能功率转换的应用场景。
IPW075N03L,
IPP075N03L,
IXFH75N3T2
