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IPD075N03LG 发布时间 时间:2025/7/1 23:12:14 查看 阅读:7

IPD075N03LG 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效能的电源管理、电机驱动以及各种工业应用。IPD075N03LG 的额定电压为 30V,能够处理高达 75A 的连续电流,同时具备优异的热性能和可靠性。
  该器件采用了 TO-247 封装形式,便于散热并适用于需要大功率处理能力的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:75A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容(输入电容):2450pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IPD075N03LG 具有非常低的导通电阻,有助于降低传导损耗,并提升整体效率。此外,该器件还支持快速开关操作,可减少开关损耗。
  由于其出色的热稳定性和坚固的设计,IPD075N03LG 能够在极端温度条件下可靠运行,适用于恶劣的工作环境。其高电流承载能力也使其成为大功率应用的理想选择。
  该产品符合 RoHS 标准,确保环保要求得到满足。同时,其卓越的电气特性和耐用性使得 IPD075N03LG 成为市场上领先的功率 MOSFET 解决方案之一。

应用

IPD075N03LG 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 大功率负载切换及保护。
  4. 电信设备中的高效电源管理系统。
  5. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车充电装置。
  6. 各种需要高性能功率转换的应用场景。

替代型号

IPW075N03L,
  IPP075N03L,
  IXFH75N3T2

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IPD075N03LG参数

  • 数据列表IP(D,F,S,U)075N03L G
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单路
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 30A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)1900pF @ 15V
  • 功率 - 最大47W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称IPD075N03LGINCT