类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　封装类型：TO-252（D-Pak）
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散：120W（最大值）

K3528-01是一种N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关特性。这种器件非常适合用于高效率电源转换器和马达控制器等应用。其低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，K3528-01还具有良好的热稳定性和高耐用性，可以在高负载条件下长时间工作。
　　该器件的封装形式为TO-252，这种封装具有良好的散热性能，同时便于在印刷电路板（PCB）上安装。此外，K3528-01的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V到20V之间，这使得它能够与多种控制电路兼容。其高耐压和高电流能力使其在许多大功率应用中成为理想选择。
　　另一个重要特性是K3528-01的短路保护能力。在异常工作条件下，该器件可以在一定时间内承受较大的电流冲击而不损坏，从而提高了系统的可靠性。

K3528-01主要用于需要高电流和低导通电阻的电源管理和开关应用。典型应用包括直流-直流转换器、同步整流器、电池管理系统、马达控制器和负载开关。此外，它还被广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高性能计算机电源等场合。由于其优异的电气性能和可靠性，K3528-01在电力电子领域中得到了广泛的认可和使用。

K3528-01的替代型号包括SiS3528N、AO3528、AP3528和TSM3528。这些型号在电气特性和封装形式上与K3528-01相似，可以根据具体应用需求进行替换。