时间：2025/5/29 22:30:44
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IPD046N08N5ATMA1 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频开关和高效率功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间实现了良好的平衡，广泛应用于消费电子、工业电源以及通信设备中。
型号：IPD046N08N5ATMA1
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压 VDS：80V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：46A
导通电阻 RDS(on)：3.7mΩ（在 VGS=10V 时）
栅极电荷 Qg：68nC
反向恢复时间 trr：39ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD046N08N5ATMA1 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高额定电流能力，能够承受较大的负载电流。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下正常运行。
5. 小巧的 DPAK 封装，节省 PCB 空间并简化散热设计。
6. 支持汽车级认证标准（AEC-Q101），确保其在恶劣环境下的可靠性能。
该功率 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC 转换器中的高效功率转换元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 通信电源模块中的功率管理单元。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
IPB054N06N5G, IRF540N, STP45NF06L
