类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-50A
　　导通电阻（Rds(on)）：约18mΩ（在Vgs = -10V时）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

MDMA50P1800TG具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中表现出较低的功率损耗和较高的效率。该器件的P沟道结构适用于高边开关应用，如负载开关和电源管理系统。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，额定漏源电压为-50V，适合中高电压电源转换应用。其栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准MOSFET驱动电路进行控制，同时提供良好的栅极氧化层保护。MDMA50P1800TG采用TO-252封装，具有良好的热管理能力，适用于表面贴装工艺，提高生产效率。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，工作温度范围为-55°C至150°C，适合工业级应用环境。整体而言，MDMA50P1800TG是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场合。

MDMA50P1800TG广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及各类工业电源设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。此外，在汽车电子系统中，例如车载充电系统和电动工具电源管理模块，MDMA50P1800TG也能提供稳定可靠的功率控制能力。

Si4410BDY, IRF9540NPBF, FQP50P06