IS43DR16160A-3DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM产品系列。该型号的存储容量为256Mb(16M x 16位),采用CMOS工艺制造,具有高速访问时间和低功耗的特性。该芯片广泛应用于需要高速数据存取的场景,如网络设备、工业控制、通信设备和嵌入式系统。
容量:256Mb
组织结构:16M x 16位
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:54引脚TSOP
最大时钟频率:166MHz
数据保持电压:2.0V
输入/输出电平:CMOS兼容
IS43DR16160A-3DBLI具备多项优异的性能特征,首先,其高速访问时间(5.4ns)允许在高频环境下稳定运行,适用于要求快速响应的系统设计。其次,该器件支持低功耗模式,在非活跃状态下能够显著降低功耗,有助于提高系统能效。此外,该DRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,适合在工业级环境下运行。其支持的宽电源电压范围(2.3V至3.6V)增强了其在不同电源条件下的适应性,同时兼容多种电源管理系统。最后,该器件的54引脚TSOP封装形式在保证良好电气性能的同时,也便于PCB布局和散热设计,适合高密度嵌入式应用。
该芯片还支持异步操作模式,无需依赖系统时钟即可进行读写操作,提高了系统设计的灵活性。其数据保持电压最低可降至2.0V,确保在电源不稳定的情况下仍能维持数据的完整性。这些特性使得IS43DR16160A-3DBLI在工业控制、通信设备、医疗仪器等高可靠性领域中具有广泛的应用前景。
IS43DR16160A-3DBLI广泛应用于需要大容量高速存储的工业和通信设备中。例如,在路由器、交换机等网络设备中,该芯片可用于缓存数据包和临时存储路由表信息;在工业控制系统中,它可以作为高速缓存或临时数据存储单元,提高控制系统的响应速度和稳定性;在通信设备中,该DRAM芯片可用于基站控制器、无线接入设备等关键部件的数据缓冲;此外,在嵌入式系统、医疗成像设备、视频采集系统等对性能和可靠性要求较高的场景中,该芯片也表现出色,能够满足复杂应用对内存性能的需求。
IS43LV16160A-3DBLI、IS43DR16320A-3DBLI、IS43DR16160B-3DBLI