时间：2025/6/19 10:07:10
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MT15N221J500CT 是一款由 Microsemi（已被 Microchip 收购）推出的高可靠性 N 沟道 MOSFET 芯片，专为恶劣环境和高功率应用设计。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性，适用于工业、汽车及通信领域中的功率转换和负载控制电路。其封装形式为 TO-247，能够有效散热并支持大电流操作。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.36Ω
栅极电荷：120nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MT15N221J500CT 提供了出色的电气性能和机械稳定性，适合在极端条件下运行。
它具有以下主要特点：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压系统中的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（0.36Ω），从而降低功耗和发热。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高效率。
广（-55℃ 至 +175℃），满足高温或低温环境下的应用需求。
5. 符合严格的 MIL 标准，具备卓越的抗辐射能力和长期稳定性。
6. 可靠性经过全面验证，包括高温反偏测试 (HTRB) 和寿命测试。
这些特性使其非常适合用于直流电机驱动、开关电源、逆变器以及其他需要高效功率管理的场合。
MT15N221J500CT 广泛应用于多种高性能功率电子设备中，典型应用场景包括：
1. 工业自动化中的功率转换模块。
2. 电动汽车和混合动力汽车的电机控制器。
3. 太阳能逆变器中的功率级开关元件。
4. 不间断电源（UPS）系统的开关组件。
5. 电信基础设施中的 DC/DC 转换器。
由于其优异的性能和高可靠性，这款 MOSFET 成为许多关键任务系统的首选解决方案。
MT15N220J500CT, IRFP260N, STP18NF50
