类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：连续24A（@25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：72nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：140W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：650V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.5V（典型值）

IPB65R050CFD7A的主要特性之一是其优异的导通性能和开关速度。得益于CoolMOS?超结技术，该器件在650V的高压下依然保持了极低的Rds(on)，这显著降低了导通损耗并提高了系统的整体效率。此外，IPB65R050CFD7A的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，并提高了电源转换效率。
　　另一个关键特性是集成的快速恢复二极管（Fast Diode），该二极管具有极短的反向恢复时间（trr），从而减少了反向恢复过程中的能量损耗，并降低了电磁干扰（EMI）的产生。这一特性在同步整流和桥式拓扑结构中尤为重要，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
　　此外，IPB65R050CFD7A的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，确保器件在高电流负载下仍能保持稳定的温度，延长使用寿命。该器件的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适用于各种严苛的工业和汽车电子应用环境。同时，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力，能够在过载和短路情况下提供更好的保护。
　　最后，IPB65R050CFD7A的高可靠性和长寿命使其成为高性能电源设计的理想选择，尤其适用于需要紧凑设计和高效率的现代电子设备。其低导通电阻、快速开关特性以及集成的快速恢复二极管，使得该器件在电源管理和转换应用中具有显著的优势。

IPB65R050CFD7A广泛应用于各种电源管理系统和功率转换设备中。在电源适配器、充电器和开关电源（SMPS）中，该器件能够实现高效的能量转换，减少发热并提高整体系统的稳定性。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器和AC-DC电源模块，特别是在笔记本电脑、服务器、通信设备和消费电子产品中。
　　在工业自动化和控制系统中，IPB65R050CFD7A常用于电机驱动、变频器和不间断电源（UPS）系统。其高耐压能力和优异的热性能使其能够在严苛的工业环境中稳定运行，提供可靠的功率控制解决方案。
　　此外，该器件在新能源领域也有广泛应用，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。集成的快速恢复二极管有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率，并降低电磁干扰（EMI），满足严格的环保和安全标准。
　　在照明应用中，IPB65R050CFD7A可用于LED驱动电源和智能照明控制系统。其高效能特性有助于延长LED灯具的使用寿命，并提高能源利用率，符合绿色照明的发展趋势。

IPW65R050CFD7AG, IPA65R050CFD7S, IPB65R050CFD7KG