类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：12A（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12.3mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：WDFN（5x6mm）
　　功率耗散（PD）：4.3W（最大值）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.4V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：940pF（典型值）

LDTD123YWT1G 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流应用中实现极低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该 MOSFET 使用先进的 Trench 工艺技术，提供更高的密度和更小的芯片尺寸，使得在有限空间内实现更高的性能。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频操作。LDTD123YWT1G 的热阻（RθJA）较低，使得在没有大型散热片的情况下仍能有效散热，提高了在高功率密度应用中的可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐久性，适合用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等严苛环境。其封装形式为 WDFN，具备优异的热管理和空间利用率，适合表面贴装工艺（SMT），提高了制造效率。
　　从电气特性来看，LDTD123YWT1G 的阈值电压较低（约 1.4V），意味着它可以更容易地由低压控制器驱动，适用于 3.3V 或 5V 的逻辑电平电路。此外，其栅极-源极电压最大可达 ±20V，提供了更高的驱动灵活性和安全性。该 MOSFET 在不同温度下的 RDS(on) 变化较小，保证了在高温环境下的稳定性能。

LDTD123YWT1G 主要用于需要高效功率开关的电子系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及各种工业和汽车电子应用。由于其低导通电阻和优良的热性能，该器件特别适合用于高效率、高功率密度的电源转换电路。此外，它也常用于便携式设备和服务器电源中，以满足对小型化和高效能的需求。在汽车电子领域，LDTD123YWT1G 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。其宽工作温度范围也使其适用于户外和工业环境中的控制系统。

Si2302DS, FDS6675, IRF7413, AO4406A