时间：2025/7/12 12:11:05
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TEPB0R2V12B1X 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率电子器件，主要用于电力转换和电源管理应用。该芯片采用了先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通损耗。其主要特点是低导通电阻和高工作频率，适合于要求高效能和小型化的应用场景。
这款 GaN 器件适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计，能够在高温环境下保持稳定运行，同时具备出色的耐用性和可靠性。
型号：TEPB0R2V12B1X
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：650 V
导通电阻：2.0 mΩ
最大电流：120 A
栅极驱动电压：4.5 V ~ 6 V
开关频率：高达 5 MHz
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
TEPB0R2V12B1X 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 支持高开关频率操作，使得设计更紧凑且减少了无源元件的体积。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠性和安全性。
4. 内置保护功能，例如过温保护和短路保护，增强了系统的鲁棒性。
5. 使用氮化镓材料，相比传统硅基器件，具有更快的开关速度和更高的热稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化工业产品中。
TEPB0R2V12B1X 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心服务器电源，用于提升功率密度和降低能耗。
2. 电动车充电桩中的高效功率转换模块。
3. 太阳能逆变器，实现更高的能量转换效率。
4. 工业电机驱动控制单元，提供快速动态响应。
5. 消费类快充适配器设计，支持 USB-PD 协议。
6. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率级组件。
由于其高性能表现，该芯片特别适合需要高频、高效工作的电力电子设备。
TPEH0R8V12B1X, TEPB0R3V12B1X
