时间：2025/6/4 18:01:28
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IPB044N15N5是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。这款MOSFET在设计上注重效率与可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
其额定电压为150V，能够承受较大的漏源极电压波动，同时具备出色的热性能表现，适合对功率密度和散热要求较高的场景。
最大漏源极电压：150V
最大栅源极电压：±20V
最大连续漏极电流：4.4A
最大脉冲漏极电流：8.8A
RDS(on)（最大值，在VGS=10V时）：0.75Ω
总栅极电荷：13nC
输入电容：560pF
导通损耗：低
封装形式：TO-252
IPB044N15N5的主要特性包括：
1. 低导通电阻RDS(on)，可有效降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高开关速度，支持高频操作，满足现代电源设计需求。
3. 具备优异的热稳定性和鲁棒性，能够在严苛环境下可靠工作。
4. 内置反向二极管，有助于减少电路复杂度。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 封装紧凑，易于安装并兼容自动化生产工艺。
IPB044N15N5适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动及控制电路。
4. 汽车电子中的各种辅助功能模块。
5. 工业设备中的功率管理部分。
6. LED驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
IPP044N15N5,
IRLZ44N,
FDP044AN
