时间：2025/8/28 9:50:42
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LH28F160S3T-L10A是一款由Intel公司制造的16MB（1M x16）的Flash存储器芯片，属于Intel StrataFlash存储器系列的一部分。这款Flash芯片支持多种操作模式，包括读取、编程和擦除操作，适用于需要非易失性存储解决方案的各种嵌入式系统应用。LH28F160S3T-L10A具有高性能、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子等领域。
存储容量：16MB（1M x16）
工作电压：2.7V至3.6V
访问时间：100ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：SRAM/NOR Flash
擦写周期：100,000次
数据保持时间：10年
LH28F160S3T-L10A Flash存储器芯片具备多项先进特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它支持快速访问时间（最高可达100ns），确保系统运行速度不受存储器限制。其次，芯片内部集成了擦除和编程电路，支持块擦除和字节编程功能，用户可灵活管理存储内容。此外，LH28F160S3T-L10A具备低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适用于电池供电设备。芯片还支持硬件和软件数据保护机制，防止误擦除或误编程，提高数据安全性。
该芯片的StrataFlash技术允许同时读取和写入操作，即在进行编程或擦除操作的同时，仍可执行读取操作，提高了系统的多任务处理能力。LH28F160S3T-L10A还具备自动休眠模式，有助于进一步降低功耗。其TSOP封装形式减小了PCB空间占用，适合高密度电路设计。最后，该器件符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的应用。
LH28F160S3T-L10A主要用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统中，如工业控制设备、通信基站、路由器、智能卡终端、汽车导航系统和多媒体播放器等。由于其支持多任务操作和低功耗特性，也适用于便携式电子设备和远程监控系统。
LH28F160S3T-B10A, LH28F160S3T-L12A
