类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220

SINB80的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体效率。此外，该器件的高开关速度使其适用于高频操作环境，如DC-DC转换器和马达控制电路。
　　另一个显著特点是其优异的热管理能力，SINB80采用了优化的封装设计，能够有效散发运行过程中产生的热量，从而延长器件的使用寿命。同时，其工作温度范围广泛，适应性强，可在极端环境条件下稳定工作。
　　由于SINB80具备较高的漏极-源极击穿电压（60V），它适用于多种中高压应用，例如电源供应器、工业自动化设备以及汽车电子系统。此外，其±20V的栅极-源极电压耐受能力保证了在不同驱动条件下的可靠性，减少了因栅极电压波动而导致器件损坏的风险。
　　最后，SINB80的封装形式灵活，常见的TO-263（D2PAK）和TO-220封装形式便于在不同的电路板布局中使用，提高了其在各种应用中的适用性。

SINB80主要应用于高功率开关电路中，例如DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统（BMS）等。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源设计中的关键组件。
　　在汽车电子领域，SINB80常用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）的电源管理模块，作为高边或低边开关来控制电池供电系统。此外，在工业自动化设备中，该器件可应用于变频器、伺服电机控制器以及不间断电源（UPS）系统。
　　家用电器方面，SINB80可用于高效节能的空调压缩机驱动器、智能家电的电源管理模块以及其他需要高功率MOSFET的场合。
　　此外，SINB80也适用于太阳能逆变器和储能系统，用于实现高效的能量转换和管理。

SiN800A, IRF1404, AUIRF1404, STP80NF03L