FHF5N60 时间：2025/5/27 15:01:35 阅读：8

FHF5N60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、直流电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的电路中。FHF5N60以其低导通电阻和高击穿电压特性著称，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
　　FHF5N60的制造工艺基于先进的半导体技术，确保了其在各种恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：5.8A
　　栅极阈值电压：4V~6V
　　导通电阻（典型值）：3.6Ω
　　功耗：118W
　　结温范围：-55℃~+150℃

特性

FHF5N60具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，适用于高压应用场合。
　　2. 低导通电阻，在额定电流下可以减少功率损耗，提高效率。
　　3. 快速开关性能，适合高频应用，能够降低开关损耗。
　　4. 稳定的电气参数，确保在不同温度和负载条件下的可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. TO-220封装设计，便于散热和安装，适合多种PCB布局需求。

应用

FHF5N60广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括AC/DC转换器和DC/DC转换器。
　　2. 电机驱动，如无刷直流电机控制和步进电机驱动。
　　3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　4. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
　　6. 其他需要高性能功率MOSFET的应用场景。