时间：2025/5/7 13:38:10
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IPB027N10N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，非常适合用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他电力电子应用。
这款 MOSFET 的最大 drain-source 电压为 100V，能够承受较高的电压波动，同时具备优秀的热稳定性和可靠性，使其成为工业和消费类应用的理想选择。
最大 drain-source 电压：100V
最大 continuous drain 电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：28nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2650pF（典型值）
总功耗：14W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 高效的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低导通电阻和开关损耗。
2. 极低的 Rds(on)，使得在高电流应用中发热更少。
3. 快速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，提高系统可靠性。
5. 小型封装设计（TO-Leadless），有助于节省 PCB 空间并优化散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 广泛的工作温度范围，适应多种极端环境下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 充电器及适配器
6. LED 照明驱动电路
7. 各种功率转换模块
8. 太阳能微逆变器等新能源设备
9. 家用电器中的功率管理单元
IPW27N10N3G, IPSW27N10N3G
