型号：IXFP20N50P3M
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? P
　　封装类型：TO-247
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：20 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：80 A
　　功耗（Ptot）：300 W
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：典型值0.19 Ω，最大值0.23 Ω
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0 V，范围2.0～4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值1600 pF @ Vds=50V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：典型值150 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　栅极电荷（Qg）：典型值105 nC @ Vgs=10V, Id=20A

IXFP20N50P3M作为CoolMOS? P系列的一员，采用了英飞凌独有的超级结（Superjunction）技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域显著降低了器件的导通电阻Rds(on)，同时维持了高击穿电压能力。相比传统平面型或沟槽型MOSFET，该技术使得在相同芯片面积下可实现更低的导通损耗，从而提高整体电源转换效率。尤其是在65W至数kW范围内的开关电源中，如服务器电源、通信电源和工业电源，IXFP20N50P3M能够有效减少热量产生，降低散热需求，进而缩小系统体积并提升功率密度。该器件还具备极佳的动态性能，其栅极电荷Qg较低，意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于高频化设计，减少开关延迟和交叉导通风险。同时，由于其寄生电容较小，特别是在Coss和Crss上的优化，进一步减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的工作频率上限。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。得益于TO-247封装的大面积金属背板设计，IXFP20N50P3M具备优良的热传导路径，能够将芯片产生的热量迅速传递到外部散热器，确保在满载或高温环境下的持续稳定运行。器件的工作结温最高可达+150°C，满足严苛工业环境的应用要求。此外，该MOSFET经过严格的老化测试和质量控制流程，具备较强的抗雪崩能力和耐用性，在突发过压或负载突变情况下仍能保持功能完整性。其内置的体二极管也经过优化，具有较短的反向恢复时间trr和较低的反向恢复电荷Qrr，减少了在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和EMI干扰问题，提升了系统的电磁兼容性能。这些综合优势使其成为高性能AC-DC转换器、DC-DC变换器以及光伏逆变器等应用的理想选择。

IXFP20N50P3M广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用场景包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器、电信设备和数据中心的高效能电源模块，这类系统对能效等级（如80 PLUS Titanium）有极高要求，而该器件凭借其低导通损耗和快速开关特性，有助于实现高于96%的转换效率。此外，它也被广泛用于不间断电源（UPS）、焊接设备、激光电源和感应加热系统等工业电源装置中，提供稳定的高压直流到交流或直流到直流的转换能力。在新能源领域，该MOSFET可用于小型光伏逆变器和储能系统的DC-AC转换环节，支持清洁能源的高效接入电网。同时，由于其具备良好的瞬态响应能力和过载承受能力，也适用于电动车辆充电站中的辅助电源单元或车载充电器的次级侧同步整流控制（在特定配置下）。另外，在高端消费类电源产品如大功率LED驱动电源、高端音响放大器电源部分也有潜在应用价值。由于其优异的EMI表现和热稳定性，IXFP20N50P3M特别适合部署在密闭空间或通风条件受限的环境中，保障长时间可靠运行。

IPW60R190P7
　　STP20NM50N
　　FQP20N50