时间：2025/5/13 11:04:00
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LGT67F-R2-3-N3-20是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效能。同时，其封装形式经过优化设计，能够有效提升散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
这款功率MOSFET采用了N沟道技术，通过增强型结构实现对电流的精确控制，从而在众多需要大电流处理的应用中表现出色。
型号：LGT67F-R2-3-N3-20
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω（典型值，@Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：95nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
LGT67F-R2-3-N3-20的核心特性在于其低导通电阻和高耐压能力，使得它在高压应用场景下依然可以保持较低的功耗。
1. 高击穿电压(650V)，确保了器件在高压环境下的可靠性。
2. 导通电阻仅为0.12Ω，显著降低了传导损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合，减少开关损耗。
4. 内置ESD保护电路，增强了芯片的抗静电能力。
5. 热性能优异，封装设计支持高效的热量散发。
这些特性共同作用，使LGT67F-R2-3-N3-20成为各类工业和消费类电子设备的理想选择。
该芯片主要应用于需要高电压和大电流处理能力的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，用于AC-DC转换和稳压输出。
2. 电机驱动系统，如电动车窗、风扇、水泵等电机控制。
3. 不间断电源(UPS)中的逆变电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
LGT67F-R2-3-N3-20凭借其出色的电气特性和可靠性，为这些应用提供了稳定且高效的解决方案。
LGT67F-R2-3-N3-22, IRFP460, STP12NK65Z
