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LESD5L5.OCT1G 发布时间 时间:2025/8/13 19:28:49 查看 阅读:18

LESD5L5.OCT1G 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响。LESD5L5.OCT1G 采用先进的硅雪崩技术,具有低电容和快速响应时间的特点,适用于高速数据线和接口的保护,如 USB、HDMI、以太网等。该器件采用小型无引脚封装(如QFN),适合在空间受限的电路板上使用。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  通道数:5
  工作电压:5.0V
  钳位电压(最大值):12.8V @ 1A
  漏电流(最大值):100nA @ 5.5V
  电容(最大值):2.5pF(典型值)
  响应时间:小于1ns
  封装类型:QFN(4.0mm x 2.0mm)
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

LESD5L5.OCT1G 具有多个关键特性,使其成为理想的ESD保护解决方案。
  首先,它提供多通道保护,最多可保护5条数据线,非常适合复杂的高速接口应用。每个通道都具有低工作电压(5.0V)和低钳位电压(最大12.8V),确保在ESD事件中不会对下游电路造成损害。
  其次,该器件的漏电流极低(最大100nA),在正常工作条件下几乎不会影响电路的功耗或性能。这对于低功耗设备,如移动设备和便携式电子产品,尤为重要。
  LESD5L5.OCT1G 还具有超低电容特性(最大2.5pF),这对于高速信号传输至关重要。低电容确保信号完整性不受影响,避免信号失真或衰减,尤其适用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort和以太网等高速数据接口。
  响应时间极短(小于1纳秒),使得LESD5L5.OCT1G能够迅速对ESD事件做出反应,从而提供有效的保护。此外,该器件符合IEC 61000-4-2标准,提供高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的保护等级,确保在各种工业和消费类应用中可靠运行。
  最后,LESD5L5.OCT1G采用紧凑的QFN封装(4.0mm x 2.0mm),节省了电路板空间,并支持自动化贴片工艺,提高了生产效率和可靠性。

应用

LESD5L5.OCT1G 广泛应用于需要高精度ESD保护的高速电子设备中。其主要应用包括:
  1. USB接口保护:适用于USB 2.0、USB 3.0及Type-C接口,防止静电放电损坏主控芯片或连接器。
  2. HDMI和DisplayPort接口:用于保护高清视频和音频传输线路,确保信号质量不受ESD干扰。
  3. 以太网接口:在LAN或PoE(以太网供电)系统中,保护PHY芯片和相关电路免受瞬态电压冲击。
  4. 移动设备:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用于保护敏感的内部电路免受静电放电影响。
  5. 工业控制设备:用于保护PLC、传感器、工业通信接口等设备,确保在严苛环境中稳定运行。
  6. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)和车载网络接口,提供可靠的数据线路保护。
  由于其低电容、低漏电流和高保护等级,LESD5L5.OCT1G 适用于各种对信号完整性要求较高的应用场合。

替代型号

LESD5L5.0CT1G, LC05-4.TCT, ESD5511, SMF05C, PESD5V0L2BT

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